隨著原子序數(shù)的增加，鐵族元素對SiC的活性也增大。III族過渡金屬(其中包括稀土金屬)可能與SiC發(fā)生反應，生成碳化物與硅化物。這樣，盡管大部分過渡金屬其有較高的難熔性和耐熱性，在研制SiC基金屬陶瓷時，不能用它作結合劑。與此同時，向硅熔融物中加入某些過渡金屬(Fe、Cr、稀土元素)時，可以提高SiC在其中的溶解度，從而有可能強化半導體用碳化硅單晶體的培育過程。

　　碳族元素(IV B族)。碳化硅與碳處于平衡狀態(tài)。SiC在硅中有一定的溶解度，并且隨著溫度的升高，可以提高到19%。在液態(tài)和固態(tài)時，鍺和硅的相互溶解不受限制。鍺不能生成穩(wěn)定的碳化物;3170℃時碳在液態(tài)鍺中的溶解度為12%，在鍺的熔點(937℃)下溶解度為101%厘米-3，。在大氣壓力下，Ge不與SiC發(fā)生反應，而在25個工程大氣壓下有可能在SiC中生成鍺的固溶體。錫和鋁不與碳和硅發(fā)生反應，也不使它們?nèi)芙?。這樣，碳化硅只能被硅和鍺潤濕。同時，如同下面表明的那樣，硅能更好地潤濕SiC的表面。山于對錫和鉛呈惰性，故可以推薦采用碳化硅材料制造與這類金屬熔融物接觸的爐襯、金屬管道成共它部件。