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詳細(xì)解讀碳化硅深層特性

文章出處:原創(chuàng) 責(zé)任編輯:admin 人氣: 發(fā)表時間:2016-06-14 15:11

  碳化硅的顏色,純凈者無色透明,含雜質(zhì)(碳、硅等)時呈藍(lán)、天藍(lán)、深藍(lán),淺綠等色,少數(shù)呈黃、黑等色。加溫至600~700℃時不褪色。金剛光澤。比重3.17-3.47,具極高的折射率Ne=2.697, No=2.657和高的雙折射,在紫外光下發(fā)黃、橙黃色光,無電磁性。

  因碳化硅是一種共價鍵化合物,原子間結(jié)合的鍵很強(qiáng),它具有以下一些獨(dú)特的性能,因而得以廣泛應(yīng)用。

  1)高熔點。關(guān)于碳化硅熔點的數(shù)據(jù).不同資料取法不一,有2100℃(分解)、2700℃, 2830士40℃。

  2)高硬度。碳化硅是超硬度的材料之一。超硬度的材料包括:金剛石、立方氮化硼(CBN),碳化硼、碳化硅、氮化硅及碳化鈦等。

  3)高強(qiáng)度。在常溫和高溫下,碳化硅的機(jī)械強(qiáng)度都很高。25℃下,SiC的彈性模量為4.76×1000000公斤/平方厘米,拉伸強(qiáng)度為1.75×1000公斤/平方厘米,抗壓強(qiáng)度為10.5×1000公斤/平方厘米,SiC的高溫強(qiáng)度很好??箯潖?qiáng)度直至1400℃仍不受溫度的影響。1500℃時,彈性模量仍有2.8 x 100000公斤/平方厘米。上述數(shù)據(jù)均測自大塊材料。

  4)熱膨脹系數(shù)較低,導(dǎo)熱性好。

  5)碳化硅導(dǎo)電性較強(qiáng)屬于半導(dǎo)體,隨電壓、溫度的升高,比電阻減小。

  6)化學(xué)性能穩(wěn)定,在HCl. H2SO4. HF中煮沸也不受侵蝕。但濃H3PO4在230℃能分解SiC,堿類物質(zhì)與其共熔可分解為碳及硅酸鹽。SiC與Cl2在600℃開始反應(yīng),1000℃時反應(yīng),生成SiC14和CC14。

  SiC在還原氣氛中直到2600℃仍然穩(wěn)定,超過這個溫度升華。強(qiáng)氧化氣體在1000℃以上與SiC反應(yīng),并分解SiC.

  水蒸氣能促使碳化硅氧化在有50%的水蒸氣的氣氛中,能促進(jìn)綠色碳化硅氧化從1000℃開始,隨著溫度的提高,氧化程度愈為明顯,到1400℃時為最大。